Strategi Penghematan Biaya Pembuatan Peralatan Nanoelektronik yang Difabrikasi dengan Profil Data Evaporasi Alumunium

Kusnanto Mukti Wibowo (1), Gema Romadhona (2), Royan Royan (3), Anang Widiantoro (4), Fatiatun Fatiatun (5), Fatimah Nur Hidayah (6), Nani Sunarmi (7)
(1) Universitas Muhammadiyah Purwokerto, Indonesia,
(2) Universitas Muhammadiyah Purwokerto, Indonesia,
(3) Universitas Muhammadiyah Purwokerto, Indonesia,
(4) UM Surabaya, Indonesia,
(5) Universitas Sains Al Quran, Indonesia,
(6) ATW Surakarta, Indonesia,
(7) IAIN Tulungagung, Indonesia

Abstrak

Nanoteknologi adalah teknologi terbaru yang sangat menjanjikan untuk masa depan yang memiliki banyak aplikasi potensial dan aktual pada perangkat nanoelektronik. Namun, untuk mendapatkan manfaat pada nanoteknologi diperlukan teknologi canggih itu sendiri. Masalah utama fabrikasi perangkat nanoelectronic adalah skalanya yang kecil, area yang kecil, volume yang kecil dan konsentrasi yang rendah. Pembuatan dalam skala nano memunculkan masalah tidak hanya pada kinerja, tetapi juga biaya untuk industri elektronik. Untuk mengatasi masalah ini, kami mempelajari profil kontak logam. Kami menyajikan profil aluminium (Al) untuk mendapatkan sifat-sifat yang diharapkan dan juga efektif dalam hal biaya, karena aluminium banyak digunakan dalam banyak aplikasi elektronik seperti spintronics, sel surya, transistor film tipis, dan bahkan untuk fotokatalis. Dalam penelitian ini, Al dievaporasikan oleh termal evaporator. Sifat struktural film Al dikarakterisasi menggunakan XRD, AFM, dan FESEM. Sifat kelistrikan dikarakterisasi menggunakan Four-point probe. Hasilnya menunjukkan peningkatan ketebalan menyebabkan penurunan resistivitas dan ukuran strain film Al serta meningkatkan biaya.

Artikel teks lengkap

##article.generated_from_xml##

Referensi

C. Periasamy and P. Chakrabarti, “Structural and electrical properties of metal contacts on n-type ZnO thin film deposited by vacuum coating technique,†J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct., vol. 27, no. 5, pp. 2124–2127, 2009.

P. Stallinga and H. L. Gomes, “Metal contacts in thin-film transistors,†Org. Electron. physics, Mater. Appl., vol. 8, no. 4, pp. 300–304, 2007.

I. Lindseth, A. Bardal, and R. Spooren, “Reflectance measurements of aluminium surfaces using integrating spheres,†Opt. Lasers Eng., vol. 32, no. 5, pp. 419–435, 1999.

. H. Chinnam, Krishna Chytanya, Gupta, Swasti and Gleskova, “Aluminium Oxide Prepared by UV/Ozone Exposure for Low-Voltage Organic Thin-Film Transistors,†J. Non. Cryst. Solids, vol. 358, no. 17, pp. 2512–2517, 2012.

. J. Sarkar, S. Saimoto, B. Mathew, and P. S. Gilman, “Microstructure, texture and tensile properties of aluminum-2 at.% neodymium alloy as used in flat panel displays,†J. Alloys Compd., vol. 479, pp. 719–725, 2009.

. M. G. Faraj, K. Ibrahim, M. H. Eisa, and M. A. Alrajhi, “Comparison of Aluminium Thin Film Deposited on Different Polymer Substrates with Thermal Evaporation for Solar Cell Applications,†J. Ovoic Res., vol. 10, no. 6, pp. 231–235, 2014.

R. Almanza, P. Hernández, I. Martínez, and M. Mazari, “Development and mean life of aluminum first-surface mirrors for solar energy applications,†Sol. Energy Mater. Sol. Cells, vol. 93, no. 9, pp. 1647–1651, 2009.

Y.-Q. Xiong, X.-C. Li, Q. Chen, W.-W. Lei, Q. Zhao, L.-J. Sang, Z.-W. Liu, Z.-D. Wang, and L.-Z. Yang, “Characteristics and properties of metal aluminum thin films prepared by electron cyclotron resonance plasma-assisted atomic layer deposition technology,†Chinese Phys. B, vol. 21, no. 7, p. 078105, 2012.

A. Ziani, F. Delmotte, C. Le Paven-Thivet, E. Meltchakov, A. Jérome, M. Roulliay, F. Bridou, and K. Gasc, “Ion beam sputtered aluminum based multilayer mirrors for extreme ultraviolet solar imaging,†Thin Solid Films, vol. 552, pp. 62–67, 2014.

K. M. Wibowo, M. Z. Sahdan, M. T. Asmah, H. Saim, F. Adriyanto, Suyitno, and S. Hadi, “Influence of Annealing Temperature on Surface Morphological and Electrical Properties of Aluminum Thin Film on Glass Substrate by Vacuum Thermal Evaporator,†IOP Conf. Ser. Mater. Sci. Eng., vol. 226, p. 012180, 2017.

N. Maiti, a. Biswas, R. B. Tokas, D. Bhattacharyya, S. N. Jha, U. P. Deshpande, U. D. Barve, M. S. Bhatia, and a. K. Das, “Effects of oxygen flow rate on microstructure and optical properties of aluminum oxide films deposited by electron beam evaporation technique,†Vacuum, vol. 85, no. 2, pp. 214–220, 2010.

X. Multone, Y. Luo, and P. Hoffmann, “Er-doped Al2O3 thin films deposited by high-vacuum chemical vapor deposition (HV-CVD),†Mater. Sci. Eng. B Solid-State Mater. Adv. Technol., vol. 146, pp. 35–40, 2008.

H.-L. Chen, Y.-M. Lu, and W.-S. Hwang, “Effect of Film Thickness on Structural and Electrical Properties of Sputter-Deposited Nickel Oxide Films,†Mater. Trans., vol. 46, no. 4, pp. 872–879, 2005.

B. H. Hwang and S. Y. Chiou, “An XRD study of highly textured HfN films,†Thin Solid Films, vol. 304, no. 1, pp. 7–14, 1997.

Penulis

Kusnanto Mukti Wibowo
kusnantomukti@gmail.com (Kontak utama)
Gema Romadhona
Royan Royan
Anang Widiantoro
Fatiatun Fatiatun
Fatimah Nur Hidayah
Nani Sunarmi
Biografi Penulis

Kusnanto Mukti Wibowo, Universitas Muhammadiyah Purwokerto

Departemen Teknik Rekayasa Elektromedis

Gema Romadhona, Universitas Muhammadiyah Purwokerto

Teknik Rekayasa Elektromedis

Royan Royan, Universitas Muhammadiyah Purwokerto

Teknik Rekayasa Elektromedis

Anang Widiantoro, UM Surabaya

Teknik Elektro

Fatiatun Fatiatun, Universitas Sains Al Quran

Pendidikan Fisika
Wibowo, K. M., Romadhona, G., Royan, R., Widiantoro, A., Fatiatun, F., Hidayah, F. N., & Sunarmi, N. (2020). Strategi Penghematan Biaya Pembuatan Peralatan Nanoelektronik yang Difabrikasi dengan Profil Data Evaporasi Alumunium. CYCLOTRON, 3(2). https://doi.org/10.30651/cl.v3i2.5310

Rincian Artikel